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FDMS8350L

FDMS8350L

Solo per riferimento

Numero parte FDMS8350L
PNEDA Part # FDMS8350L
Descrizione MOSFET N-CH 40V 47A 8PQFN
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.068
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 21 - dic 26 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FDMS8350L Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFDMS8350L
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
FDMS8350L, FDMS8350L Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 344,6 KB)
PDFFDMS8350L Datasheet Copertura
FDMS8350L Datasheet Pagina 2 FDMS8350L Datasheet Pagina 3 FDMS8350L Datasheet Pagina 4 FDMS8350L Datasheet Pagina 5 FDMS8350L Datasheet Pagina 6 FDMS8350L Datasheet Pagina 7 FDMS8350L Datasheet Pagina 8

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FDMS8350L Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SeriePowerTrench®
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C47A (Ta), 200A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs0.85mOhm @ 47A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs242nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds17500pF @ 20V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)2.7W (Ta), 113W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePower56
Pacchetto / Custodia8-PowerTDFN

I prodotti a cui potresti essere interessato

FQPF47P06

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

QFET®

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

30A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

26mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

110nC @ 10V

Vgs (massimo)

±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3600pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

62W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220F

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack

STU27N3LH5

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

STripFET™ V

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

27A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 13.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.6nC @ 5V

Vgs (massimo)

±22V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

475pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

30W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

I-PAK

Pacchetto / Custodia

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

SI2341DS-T1-E3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.5A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

72mOhm @ 2.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

400pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

710mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3 (TO-236)

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

SIHF5N50D-E3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.3A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.5Ohm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

325pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

30W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220 Full Pack

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack

Produttore

IXYS

Serie

GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

320A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.5mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

430nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

26000pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1000W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-268

Pacchetto / Custodia

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