FDMS7700S
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| Numero parte | FDMS7700S |
| PNEDA Part # | FDMS7700S |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 12A/22A POWER56 |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.508 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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FDMS7700S Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | FDMS7700S |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
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FDMS7700S Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | PowerTrench® |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Logic Level Gate |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12A, 22A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5mOhm @ 12A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1750pF @ 15V |
| Potenza - Max | 1W |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-PowerWDFN |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Power56 |
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET - Funzione FET - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore 8-ECH |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 10.5A (Ta), 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.5mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 20µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.1nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 420pF @ 25V Potenza - Max 3.1W (Ta), 23W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-PowerTDFN Pacchetto dispositivo fornitore 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
Produttore Infineon Technologies Serie HEXFET® Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs 73mOhm @ 2.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 660pF @ 25V Potenza - Max 2W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
Produttore Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 14A, 18A Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.6mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 485pF @ 15V Potenza - Max 3.5W, 3.9W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore 8-DFN (5x6) |
Produttore Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/599 Tipo FET 4 P-Channel Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 750mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max 1.4W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 14-DIP (0.300", 7.62mm) Pacchetto dispositivo fornitore MO-036AB |
