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FDMS0300S

FDMS0300S

Solo per riferimento

Numero parte FDMS0300S
PNEDA Part # FDMS0300S
Descrizione MOSFET N-CH 30V 31A
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.104
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 17 - apr 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FDMS0300S Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFDMS0300S
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
FDMS0300S, FDMS0300S Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 383,82 KB)
PDFFDMS0300S Datasheet Copertura
FDMS0300S Datasheet Pagina 2 FDMS0300S Datasheet Pagina 3 FDMS0300S Datasheet Pagina 4 FDMS0300S Datasheet Pagina 5 FDMS0300S Datasheet Pagina 6 FDMS0300S Datasheet Pagina 7 FDMS0300S Datasheet Pagina 8 FDMS0300S Datasheet Pagina 9

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FDMS0300S Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SeriePowerTrench®, SyncFET™
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C31A (Ta), 49A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.8mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs133nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds8705pF @ 15V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)2.5W (Ta), 96W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-PQFN (5x6)
Pacchetto / Custodia8-PowerTDFN

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Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSIX-H

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

100A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.4mOhm @ 30A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 500µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

60nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5435pF @ 30V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

132W (Tc)

Temperatura di esercizio

175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOP Advance (5x5)

Pacchetto / Custodia

8-PowerVDFN

DMP58D0LFB-7B

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

50V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

180mA (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8Ohm @ 100mA, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

27pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

470mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

3-X1DFN1006

Pacchetto / Custodia

3-UFDFN

DMTH10H015LK3-13

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

52.5A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

33.3nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1871pF @ 50V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.1W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-252-4L

Pacchetto / Custodia

TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD

STL18N55M5

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

MDmesh™ V

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

550V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.4A (Ta), 13A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

270mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

31nC @ 10V

Vgs (massimo)

±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1352pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3W (Ta), 90W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerFlat™ (8x8) HV

Pacchetto / Custodia

8-PowerVDFN

TSM600N25ECH C5G

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

250V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

600mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.4nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

423pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

52W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-251 (IPAK)

Pacchetto / Custodia

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