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FDMC6688P

FDMC6688P

Solo per riferimento

Numero parte FDMC6688P
PNEDA Part # FDMC6688P
Descrizione MOSFET P-CH 20V POWER33
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 85.884
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 21 - dic 26 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FDMC6688P Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFDMC6688P
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
FDMC6688P, FDMC6688P Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 477,96 KB)
PDFFDMC6688P Datasheet Copertura
FDMC6688P Datasheet Pagina 2 FDMC6688P Datasheet Pagina 3 FDMC6688P Datasheet Pagina 4 FDMC6688P Datasheet Pagina 5 FDMC6688P Datasheet Pagina 6 FDMC6688P Datasheet Pagina 7 FDMC6688P Datasheet Pagina 8

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FDMC6688P Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SeriePowerTrench®
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C14A (Ta), 56A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs6.5mOhm @ 14A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs61nC @ 4.5V
Vgs (massimo)±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds7435pF @ 10V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)2.3W (Ta), 30W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Pacchetto / Custodia8-PowerWDFN

I prodotti a cui potresti essere interessato

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

55A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

47nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2245pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

150W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

DPAK

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

SI4442DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

15A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.5mOhm @ 22A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.6W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

AO5401E

Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

500mA (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

800mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

100pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

280mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SC-89-3

Pacchetto / Custodia

SC-89, SOT-490

BUK6215-75C,118

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

75V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

57A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.8V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

61.8nC @ 10V

Vgs (massimo)

±16V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3900pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

128W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

DPAK

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

NVTFS4C06NTAG

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

21A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.2mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1683pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.1W (Ta), 37W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-WDFN (3.3x3.3)

Pacchetto / Custodia

8-PowerWDFN

Venduto di recente

74VHC14MTC

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ON Semiconductor

IC INVERTER SCHMITT 6CH 14TSSOP

ADM3202ARUZ-REEL7

ADM3202ARUZ-REEL7

Analog Devices

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16TSSOP

AD8056ARZ

AD8056ARZ

Analog Devices

IC OPAMP VFB 2 CIRCUIT 8SOIC

LQW2BHN22NJ03L

LQW2BHN22NJ03L

Murata

FIXED IND 22NH 720MA 90 MOHM SMD

WSL2010R0100FEA18

WSL2010R0100FEA18

Vishay Dale

RES 0.01 OHM 1% 1W 2010

MT25QU256ABA8ESF-0SIT

MT25QU256ABA8ESF-0SIT

Micron Technology Inc.

IC FLASH 256M SPI 133MHZ 16SOP2

WSL1206R0250FEA18

WSL1206R0250FEA18

Vishay Dale

RES 25 MOHM 1% 1/2W 1206

VLP8040T-6R8M

VLP8040T-6R8M

TDK

FIXED IND 6.8UH 3.6A 32 MOHM SMD

BZX84C3V9

BZX84C3V9

ON Semiconductor

DIODE ZENER 3.9V 350MW SOT23-3

ZHCS1000TA

ZHCS1000TA

Diodes Incorporated

DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOT23-3

SS34-E3/57T

SS34-E3/57T

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO214AB

L7815CD2T-TR

L7815CD2T-TR

STMicroelectronics

IC REG LINEAR 15V 1.5A D2PAK