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FDG6321C-F169

FDG6321C-F169

Solo per riferimento

Numero parte FDG6321C-F169
PNEDA Part # FDG6321C-F169
Descrizione INTEGRATED CIRCUIT
Produttore ON Semiconductor
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Disponibile 8.118
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 9 - apr 14 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FDG6321C-F169 Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFDG6321C-F169
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
FDG6321C-F169, FDG6321C-F169 Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 241,1 KB)
PDFFDG6321C-F169 Datasheet Copertura
FDG6321C-F169 Datasheet Pagina 2 FDG6321C-F169 Datasheet Pagina 3 FDG6321C-F169 Datasheet Pagina 4 FDG6321C-F169 Datasheet Pagina 5 FDG6321C-F169 Datasheet Pagina 6 FDG6321C-F169 Datasheet Pagina 7 FDG6321C-F169 Datasheet Pagina 8 FDG6321C-F169 Datasheet Pagina 9

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FDG6321C-F169 Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FETN and P-Channel
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C500mA (Ta), 410mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs450mOhm @ 500mA, 4.5V, 1.1Ohm @ 410mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.3nC @ 4.5V, 1.5nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds50pF @ 10V, 62pF @ 10V
Potenza - Max300mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitoreSC-88/SC70-6/SOT-363

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

15.4A, 29.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

32nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1960pF @ 15V

Potenza - Max

1.13W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

8-DFN (5x6)

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

TrenchPLUS

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

65V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7.1A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

32.8mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1180pF @ 25V

Potenza - Max

3.57W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

20-SO

APTC90TAM60TPG

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

CoolMOS™

Tipo FET

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

Funzione FET

Super Junction

Tensione Drain to Source (Vdss)

900V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

59A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60mOhm @ 52A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 6mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

540nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

13600pF @ 100V

Potenza - Max

462W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP6

Pacchetto dispositivo fornitore

SP6-P

FD6M033N06

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

Power-SPM™

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

73A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.3mOhm @ 40A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

129nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

6010pF @ 25V

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

EPM15

Pacchetto dispositivo fornitore

EPM15

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Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

105mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.2nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.15W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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