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FDC6020C

FDC6020C

Solo per riferimento

Numero parte FDC6020C
PNEDA Part # FDC6020C
Descrizione MOSFET N/P-CH 20V 6SSOT
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.202
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 26 - mag 1 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FDC6020C Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFDC6020C
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
FDC6020C, FDC6020C Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 211,51 KB)
PDFFDC6020C_F077 Datasheet Copertura
FDC6020C_F077 Datasheet Pagina 2 FDC6020C_F077 Datasheet Pagina 3 FDC6020C_F077 Datasheet Pagina 4 FDC6020C_F077 Datasheet Pagina 5 FDC6020C_F077 Datasheet Pagina 6 FDC6020C_F077 Datasheet Pagina 7 FDC6020C_F077 Datasheet Pagina 8 FDC6020C_F077 Datasheet Pagina 9

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FDC6020C Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SeriePowerTrench®
Tipo FETN and P-Channel
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C5.9A, 4.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs27mOhm @ 5.9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds677pF @ 10V
Potenza - Max1.2W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP
Pacchetto dispositivo fornitoreSuperSOT™-6 FLMP

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Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1190pF @ 10V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

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Serie

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Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 3.1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

455pF @ 10V

Potenza - Max

3.1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SMD, Flat Lead

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Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9A (Ta), 22A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

21mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

888pF @ 15V

Potenza - Max

3.1W (Ta), 17W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerSMD, Flat Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

8-DFN (3x3)

NTMFD4902NFT3G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual), Schottky

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

10.3A, 13.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.7nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1150pF @ 15V

Potenza - Max

1.1W, 1.16W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

48mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

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2W

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