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FDA032N08

FDA032N08

Solo per riferimento

Numero parte FDA032N08
PNEDA Part # FDA032N08
Descrizione MOSFET N-CH 75V 120A TO-3P
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.244
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 16 - apr 21 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FDA032N08 Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFDA032N08
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
FDA032N08, FDA032N08 Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 1.505,59 KB)
PDFFDA032N08 Datasheet Copertura
FDA032N08 Datasheet Pagina 2 FDA032N08 Datasheet Pagina 3 FDA032N08 Datasheet Pagina 4 FDA032N08 Datasheet Pagina 5 FDA032N08 Datasheet Pagina 6 FDA032N08 Datasheet Pagina 7 FDA032N08 Datasheet Pagina 8 FDA032N08 Datasheet Pagina 9 FDA032N08 Datasheet Pagina 10

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FDA032N08 Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SeriePowerTrench®
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)75V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C120A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.2mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs220nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds15160pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)375W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-3PN
Pacchetto / CustodiaTO-3P-3, SC-65-3

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Serie

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Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

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Tensione Drain to Source (Vdss)

1200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

42A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

20V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

110mOhm @ 20A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

90.8nC @ 20V

Vgs (massimo)

+25V, -5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1915pF @ 800V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

215W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 135°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247-3

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

NTD4906NAT4G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

10.3A (Ta), 54A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.5mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 10V

Vgs (massimo)

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1932pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

DPAK

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

30mA (Tj)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

0V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1000Ohm @ 500µA, 0V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

10pF @ 25V

Funzione FET

Depletion Mode

Dissipazione di potenza (max)

740mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

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Produttore

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Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

142A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11mOhm @ 71A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

300nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

8600pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

450W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

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Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

32mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

33nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

650pF @ 25V

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