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FD650R17IE4BOSA2

FD650R17IE4BOSA2

Solo per riferimento

Numero parte FD650R17IE4BOSA2
PNEDA Part # FD650R17IE4BOSA2
Descrizione MODULE IGBT PRIME2-1
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.428
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 3 - apr 8 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FD650R17IE4BOSA2 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFD650R17IE4BOSA2
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli

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FD650R17IE4BOSA2 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SeriePrimePack™2
Tipo IGBT-
ConfigurazioneSingle
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1700V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)930A
Potenza - Max4150W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.45V @ 15V, 650A
Corrente - Taglio collettore (Max)5mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce54nF @ 25V
InputStandard
Termistore NTCYes
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaModule
Pacchetto dispositivo fornitoreModule

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Powerex Inc.

Produttore

Powerex Inc.

Serie

IGBTMOD™

Tipo IGBT

-

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

200A

Potenza - Max

2000W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 200A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

15nF @ 10V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-20°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

APTGT150A120T3AG

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

220A

Potenza - Max

833W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 150A

Corrente - Taglio collettore (Max)

250µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

10.7nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP3

Pacchetto dispositivo fornitore

SP3

IRG7T100HF12B

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

200A

Potenza - Max

680W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 100A

Corrente - Taglio collettore (Max)

2mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

13nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

POWIR® 62 Module

Pacchetto dispositivo fornitore

POWIR® 62

VS-CPV363M4UPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

13A

Potenza - Max

36W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 6.8A

Corrente - Taglio collettore (Max)

250µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

1.1nF @ 30V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

19-SIP (13 Leads), IMS-2

Pacchetto dispositivo fornitore

IMS-2

VS-GT300FD060N

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Three Level Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

379A

Potenza - Max

1250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 300A

Corrente - Taglio collettore (Max)

250µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

23.3nF @ 30V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

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