FD-DF80R12W1H3_B52
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| Numero parte | FD-DF80R12W1H3_B52 |
| PNEDA Part # | FD-DF80R12W1H3_B52 |
| Descrizione | IGBT MODULE VCES 1200V 40A |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.806 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida) |
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FD-DF80R12W1H3_B52 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | FD-DF80R12W1H3_B52 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Moduli |
| Datasheet |
FD-DF80R12W1H3_B52, FD-DF80R12W1H3_B52 Datasheet
(Totale pagine: 16, Dimensioni: 1.115,3 KB)
  
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FD-DF80R12W1H3_B52 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | Trench Field Stop |
| Configurazione | Single |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 1200V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 40A |
| Potenza - Max | 215W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 40A |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | 1mA |
| Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 235nF @ 25V |
| Input | Standard |
| Termistore NTC | Yes |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | Module |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
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Produttore Infineon Technologies Serie - Tipo IGBT - Configurazione Full Bridge Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 1700V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 130A Potenza - Max 465W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 75A Corrente - Taglio collettore (Max) 5mA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 6.8nF @ 25V Input Standard Termistore NTC Yes Temperatura di esercizio -40°C ~ 125°C Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia Module Pacchetto dispositivo fornitore Module |
