FCPF190N65FL1
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Numero parte | FCPF190N65FL1 |
PNEDA Part # | FCPF190N65FL1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220 |
Produttore | ON Semiconductor |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 20.052 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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FCPF190N65FL1 Risorse
Brand | ON Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | FCPF190N65FL1 |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Datasheet |
FCPF190N65FL1, FCPF190N65FL1 Datasheet
(Totale pagine: 12, Dimensioni: 979,85 KB)
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FCPF190N65FL1 Specifiche
Produttore | ON Semiconductor |
Serie | SuperFET® II |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 20.6A (Tc) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 78nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3055pF @ 100V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 39W (Tc) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220F |
Pacchetto / Custodia | TO-220-3 Full Pack |
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