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EU 1ZV1

EU 1ZV1

Solo per riferimento

Numero parte EU 1ZV1
PNEDA Part # EU-1ZV1
Descrizione DIODE GEN PURP 200V 500MA AXIAL
Produttore Sanken
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.930
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 2 - dic 7 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

EU 1ZV1 Risorse

Brand Sanken
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteEU 1ZV1
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
EU 1ZV1, EU 1ZV1 Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 253,51 KB)
PDFEU 1Z Datasheet Copertura
EU 1Z Datasheet Pagina 2 EU 1Z Datasheet Pagina 3 EU 1Z Datasheet Pagina 4 EU 1Z Datasheet Pagina 5

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EU 1ZV1 Specifiche

ProduttoreSanken
Serie-
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)200V
Corrente - Media Rettificata (Io)500mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1V @ 500mA
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)400ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr10µA @ 200V
Capacità @ Vr, F-
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaAxial
Pacchetto dispositivo fornitore-
Temperatura di esercizio - Giunzione-40°C ~ 150°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

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Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

400V

Corrente - Media Rettificata (Io)

8A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 8A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

43ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 400V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-2

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AC

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 175°C

FR20J02

GeneSiC Semiconductor

Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

20A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1V @ 20A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

250ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

25µA @ 50V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Chassis, Stud Mount

Pacchetto / Custodia

DO-203AB, DO-5, Stud

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-5

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 125°C

MSS1P6HM3J/89A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101, eSMP®

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

60V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

680mV @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

150µA @ 60V

Capacità @ Vr, F

40pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-219AD

Pacchetto dispositivo fornitore

MicroSMP (DO-219AD)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

BAT 64-02W E6327

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

40V

Corrente - Media Rettificata (Io)

120mA

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

750mV @ 100mA

Velocità

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Tempo di recupero inverso (trr)

5ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

2µA @ 30V

Capacità @ Vr, F

6pF @ 1V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-80

Pacchetto dispositivo fornitore

SCD-80

Temperatura di esercizio - Giunzione

150°C (Max)

SR504HA0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

40V

Corrente - Media Rettificata (Io)

5A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

550mV @ 5A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

500µA @ 40V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-201AD, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-201AD

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 125°C

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