ESH2BA R3G
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| Numero parte | ESH2BA R3G |
| PNEDA Part # | ESH2BA-R3G |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC |
| Produttore | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.086 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 9 - apr 14 (Scegli Spedizione rapida) |
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ESH2BA R3G Risorse
| Brand | Taiwan Semiconductor Corporation |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | ESH2BA R3G |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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ESH2BA R3G Specifiche
| Produttore | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 100V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 1A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 1A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 25ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 200V |
| Capacità @ Vr, F | 25pF @ 4V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | DO-214AC, SMA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
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Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 50V Corrente - Media Rettificata (Io) 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.15V @ 2A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 1.5µs Corrente - Perdita inversa @ Vr 1µA @ 50V Capacità @ Vr, F 30pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-214AA, SMB Pacchetto dispositivo fornitore DO-214AA (SMB) Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore Microsemi Corporation Serie * Tipo di diodo - Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) - Corrente - Media Rettificata (Io) - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If - Velocità - Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr - Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - Temperatura di esercizio - Giunzione - |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie Automotive, AEC-Q101, FRED Pt® Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 600V Corrente - Media Rettificata (Io) 5A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.85V @ 5A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 25ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 600V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Pacchetto dispositivo fornitore D-PAK (TO-252AA) Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 175°C |
Produttore Microsemi Corporation Serie * Tipo di diodo - Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) - Corrente - Media Rettificata (Io) - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If - Velocità - Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr - Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - Temperatura di esercizio - Giunzione - |
Produttore Infineon Technologies Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 2600V Corrente - Media Rettificata (Io) 1030A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.11V @ 10000A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 40mA @ 2600V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia DO-200AB, B-PUK Pacchetto dispositivo fornitore - Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 160°C |
