ES2GHE3/52T
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| Numero parte | ES2GHE3/52T |
| PNEDA Part # | ES2GHE3-52T |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA |
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.848 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mar 30 - apr 4 (Scegli Spedizione rapida) |
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ES2GHE3/52T Risorse
| Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | ES2GHE3/52T |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
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ES2GHE3/52T Specifiche
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 400V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 2A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 2A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 400V |
| Capacità @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | DO-214AA, SMB |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AA (SMB) |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
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Produttore Infineon Technologies Serie CoolSiC™+ Tipo di diodo Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 650V Corrente - Media Rettificata (Io) 2A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 2A Velocità No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 35µA @ 650V Capacità @ Vr, F 70pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 4-PowerTSFN Pacchetto dispositivo fornitore PG-VSON-4 Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 175°C |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie Automotive, AEC-Q101, Superectifier® Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 50V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1V @ 1A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 50V Capacità @ Vr, F 20pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 175°C |
Produttore Nexperia USA Inc. Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 60V Corrente - Media Rettificata (Io) 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 760mV @ 2A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 300nA @ 60V Capacità @ Vr, F 110pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOD-123W Pacchetto dispositivo fornitore CFP3 Temperatura di esercizio - Giunzione 175°C (Max) |
Produttore Semtech Corporation Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 200V Corrente - Media Rettificata (Io) 5A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1V @ 3A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 2µs Corrente - Perdita inversa @ Vr 1µA @ 200V Capacità @ Vr, F 92pF @ 5V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia Axial Pacchetto dispositivo fornitore Axial Temperatura di esercizio - Giunzione - |
Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 60V Corrente - Media Rettificata (Io) 500mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 700mV @ 500mA Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 500µA @ 60V Capacità @ Vr, F 80pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia DO-204AL, DO-41, Axial Pacchetto dispositivo fornitore DO-204AL (DO-41) Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
