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ES2F-M3/52T

ES2F-M3/52T

Solo per riferimento

Numero parte ES2F-M3/52T
PNEDA Part # ES2F-M3-52T
Descrizione DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.462
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 28 - dic 3 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

ES2F-M3/52T Risorse

Brand Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteES2F-M3/52T
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
ES2F-M3/52T, ES2F-M3/52T Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 87,89 KB)
PDFES2F-M3/52T Datasheet Copertura
ES2F-M3/52T Datasheet Pagina 2 ES2F-M3/52T Datasheet Pagina 3 ES2F-M3/52T Datasheet Pagina 4 ES2F-M3/52T Datasheet Pagina 5

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ES2F-M3/52T Specifiche

ProduttoreVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)300V
Corrente - Media Rettificata (Io)2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.1V @ 2A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr10µA @ 300V
Capacità @ Vr, F15pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaDO-214AA, SMB
Pacchetto dispositivo fornitoreDO-214AA (SMB)
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 150°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

500mA

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

980mV @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

25ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 200V

Capacità @ Vr, F

4pF @ 4V, 50MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-219AB

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-219AB (SMF)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

UF3002-HF

Comchip Technology

Produttore

Comchip Technology

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1V @ 3A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

50ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 100V

Capacità @ Vr, F

50pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-201AA, DO-27, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-27

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 125°C

ES2DPX

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

2A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

950mV @ 2A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

25ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

200nA @ 200V

Capacità @ Vr, F

20pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOD-128

Pacchetto dispositivo fornitore

CFP5

Temperatura di esercizio - Giunzione

150°C (Max)

SBR5E45P5-7D

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

SBR®

Tipo di diodo

Super Barrier

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

45V

Corrente - Media Rettificata (Io)

5A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

600mV @ 5A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

280µA @ 45V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

PowerDI™ 5

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerDI™ 5

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

1N1186AR

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

*

Tipo di diodo

-

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

-

Corrente - Media Rettificata (Io)

-

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Velocità

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

-

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

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