ES2DHE3J_A/H
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| Numero parte | ES2DHE3J_A/H |
| PNEDA Part # | ES2DHE3J_A-H |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA |
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.820 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 1 - apr 6 (Scegli Spedizione rapida) |
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ES2DHE3J_A/H Risorse
| Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | ES2DHE3J_A/H |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
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ES2DHE3J_A/H Specifiche
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 200V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 2A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 2A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 20ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 200V |
| Capacità @ Vr, F | 18pF @ 4V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | DO-214AA, SMB |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AA (SMB) |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 60V Corrente - Media Rettificata (Io) 200mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1V @ 100mA Velocità Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 1nA @ 30V Capacità @ Vr, F 3pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOD-80 Variant Pacchetto dispositivo fornitore SOD-80 QuadroMELF Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 175°C |
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