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EMF22T2R

EMF22T2R

Solo per riferimento

Numero parte EMF22T2R
PNEDA Part # EMF22T2R
Descrizione TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6
Produttore Rohm Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.680
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mar 31 - apr 5 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

EMF22T2R Risorse

Brand Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteEMF22T2R
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati
Datasheet
EMF22T2R, EMF22T2R Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 43,33 KB)
PDFEMF22T2R Datasheet Copertura
EMF22T2R Datasheet Pagina 2 EMF22T2R Datasheet Pagina 3 EMF22T2R Datasheet Pagina 4

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EMF22T2R Specifiche

ProduttoreRohm Semiconductor
Serie-
Tipo di transistor1 NPN Pre-Biased, 1 NPN
Corrente - Collettore (Ic) (Max)100mA, 500mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)50V, 12V
Resistenza - Base (R1)10kOhms
Resistenza - Base Emettitore (R2)10kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce30 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
Corrente - Taglio collettore (Max)500nA
Frequenza - Transizione250MHz, 320MHz
Potenza - Max150mW
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitoreEMT6

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Produttore

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Serie

-

Tipo di transistor

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

10kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

47kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Frequenza - Transizione

250MHz

Potenza - Max

100mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-563, SOT-666

Pacchetto dispositivo fornitore

ES6

MUN5230DW1T1

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

1kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

1kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

3 @ 5mA, 10V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 5mA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

-

Potenza - Max

250mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

SC-88/SC70-6/SOT-363

XN0438100L

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Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Tipo di transistor

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA, 500mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

47kOhms, 4.7kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

4.7kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V / 50 @ 100mA, 10V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA / 250mV @ 5mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA, 1µA

Frequenza - Transizione

150MHz, 200MHz

Potenza - Max

300mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6

Pacchetto dispositivo fornitore

MINI6-G1

XP0421M00L

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Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Tipo di transistor

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

2.2kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

47kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

150MHz

Potenza - Max

150mW

Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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Tipo di transistor

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

22kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

22kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

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250mV @ 300µA, 10mA

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