EGP30C-E3/54
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| Numero parte | EGP30C-E3/54 |
| PNEDA Part # | EGP30C-E3-54 |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 150V 3A GP20 |
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.322 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 25 - nov 30 (Scegli Spedizione rapida) |
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EGP30C-E3/54 Risorse
| Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | EGP30C-E3/54 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
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EGP30C-E3/54 Specifiche
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | SUPERECTIFIER® |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 150V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 3A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 3A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 150V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | DO-201AA, DO-27, Axial |
| Pacchetto dispositivo fornitore | GP20 |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie SUPERECTIFIER® Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 1000V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 1A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 2µs Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 1000V Capacità @ Vr, F 8pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia DO-204AL, DO-41, Axial Pacchetto dispositivo fornitore DO-204AL (DO-41) Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 175°C |
Produttore Micro Commercial Co Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 100V Corrente - Media Rettificata (Io) 6A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 40V Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 150ns Corrente - Perdita inversa @ Vr - Capacità @ Vr, F 150pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia R6, Axial Pacchetto dispositivo fornitore R-6 Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore Comchip Technology Serie - Tipo di diodo Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 1200V Corrente - Media Rettificata (Io) 6.2A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 2A Velocità No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 100µA @ 1200V Capacità @ Vr, F 136pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore TO-263 (D2Pak) Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 175°C |
Produttore GeneSiC Semiconductor Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 200V Corrente - Media Rettificata (Io) 12A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.4V @ 12A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 200ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 25µA @ 50V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Chassis, Stud Mount Pacchetto / Custodia DO-203AA, DO-4, Stud Pacchetto dispositivo fornitore DO-4 Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 150°C |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 40V Corrente - Media Rettificata (Io) 3.5A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 530mV @ 3A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 2mA @ 40V Capacità @ Vr, F 189pF @ 5V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Pacchetto dispositivo fornitore D-PAK (TO-252AA) Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 150°C |
