EGF1CHE3_A/I
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Numero parte | EGF1CHE3_A/I |
PNEDA Part # | EGF1CHE3_A-I |
Descrizione | DIODE GEN PURP 150V 1A DO214BA |
Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 3.618 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
Consegna stimata | dic 29 - gen 3 (Scegli Spedizione rapida) |
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EGF1CHE3_A/I Risorse
Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | EGF1CHE3_A/I |
Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
Datasheet |
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EGF1CHE3_A/I Specifiche
Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
Serie | Automotive, AEC-Q101, Superectifier® |
Tipo di diodo | Standard |
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 150V |
Corrente - Media Rettificata (Io) | 1A |
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 150V |
Capacità @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / Custodia | DO-214BA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214BA (GF1) |
Temperatura di esercizio - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
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Vishay Semiconductor Diodes Division Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie * Tipo di diodo - Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) - Corrente - Media Rettificata (Io) - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If - Velocità - Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr - Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - Temperatura di esercizio - Giunzione - |
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