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EFC4C012NLTDG

EFC4C012NLTDG

Solo per riferimento

Numero parte EFC4C012NLTDG
PNEDA Part # EFC4C012NLTDG
Descrizione NCH 30V 30A WLCSP6 DUAL
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.888
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 17 - nov 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

EFC4C012NLTDG Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteEFC4C012NLTDG
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
EFC4C012NLTDG, EFC4C012NLTDG Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 154,97 KB)
PDFEFC4C012NLTDG Datasheet Copertura
EFC4C012NLTDG Datasheet Pagina 2 EFC4C012NLTDG Datasheet Pagina 3 EFC4C012NLTDG Datasheet Pagina 4 EFC4C012NLTDG Datasheet Pagina 5 EFC4C012NLTDG Datasheet Pagina 6

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EFC4C012NLTDG Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual) Common Drain
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)-
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max2.5W (Ta)
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-SMD, No Lead
Pacchetto dispositivo fornitore6-WLCSP (3.5x1.9)

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Produttore

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Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

40A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.3mOhm @ 10A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

26.7nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3065pF @ 25V

Potenza - Max

68W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-1205, 8-LFPAK56

Pacchetto dispositivo fornitore

LFPAK56D

SSM6N42FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

800mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

240mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

90pF @ 10V

Potenza - Max

150mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-563, SOT-666

Pacchetto dispositivo fornitore

ES6 (1.6x1.6)

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Common Drain

Funzione FET

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Tensione Drain to Source (Vdss)

24V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.4nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.3W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SMD, Flat Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-383FL, EMH8

FDS4501H

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V, 20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9.3A, 5.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

18mOhm @ 9.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1958pF @ 10V

Potenza - Max

1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

19mOhm @ 7.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

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