EDW2032BBBG-6A-F-D
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| Numero parte | EDW2032BBBG-6A-F-D |
| PNEDA Part # | EDW2032BBBG-6A-F-D |
| Descrizione | IC RAM 2G PARALLEL 170FBGA |
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.798 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 14 - apr 19 (Scegli Spedizione rapida) |
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EDW2032BBBG-6A-F-D Risorse
| Brand | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | EDW2032BBBG-6A-F-D |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
| Datasheet |
EDW2032BBBG-6A-F-D, EDW2032BBBG-6A-F-D Datasheet
(Totale pagine: 7, Dimensioni: 237,68 KB)
  
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EDW2032BBBG-6A-F-D Specifiche
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato memoria | RAM |
| Tecnologia | SGRAM - GDDR5 |
| Dimensione della memoria | 2Gb (64M x 32) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | 1.5GHz |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | - |
| Tempo di accesso | - |
| Tensione - Alimentazione | 1.31V ~ 1.65V |
| Temperatura di esercizio | 0°C ~ 95°C (TC) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 170-TFBGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 170-FBGA (12x14) |
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Produttore Micron Technology Inc. Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria FLASH Tecnologia FLASH - NOR Dimensione della memoria 4Mb (512K x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 33MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso 250ns Tensione - Alimentazione 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio -20°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 32-TFSOP (0.488", 12.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 32-TSOP |
Produttore IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Dual Port, Asynchronous Dimensione della memoria 256Kb (16K x 16) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 25ns Tempo di accesso 25ns Tensione - Alimentazione 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 84-BPGA Pacchetto dispositivo fornitore 84-PGA (27.94x27.94) |
Produttore Microchip Technology Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria EEPROM Tecnologia EEPROM Dimensione della memoria 4Kb (256 x 8 x 2) Interfaccia di memoria I²C Frequenza di clock 1MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 5ms Tempo di accesso 400ns Tensione - Alimentazione 1.7V ~ 5.5V Temperatura di esercizio -40°C ~ 125°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-TSSOP |
Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria NVSRAM Tecnologia NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Dimensione della memoria 64Kb (8K x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 45ns Tempo di accesso 45ns Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 28-SOIC (0.342", 8.69mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 28-SOIC |
