EDFP112A3PF-GD-F-D
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| Numero parte | EDFP112A3PF-GD-F-D |
| PNEDA Part # | EDFP112A3PF-GD-F-D |
| Descrizione | IC DRAM 24G PARALLEL 800MHZ |
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.904 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida) |
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EDFP112A3PF-GD-F-D Risorse
| Brand | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | EDFP112A3PF-GD-F-D |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
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EDFP112A3PF-GD-F-D Specifiche
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato memoria | DRAM |
| Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR3 |
| Dimensione della memoria | 24Gb (192M x 128) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | 800MHz |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | - |
| Tempo di accesso | - |
| Tensione - Alimentazione | 1.14V ~ 1.95V |
| Temperatura di esercizio | -30°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto / Custodia | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
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Produttore Microchip Technology Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria EEPROM Tecnologia EEPROM Dimensione della memoria 64Kb (8K x 8) Interfaccia di memoria I²C Frequenza di clock 400kHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 5ms Tempo di accesso 900ns Tensione - Alimentazione 1.7V ~ 5.5V Temperatura di esercizio -40°C ~ 125°C (TA) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 8-DIP (0.300", 7.62mm) Pacchetto dispositivo fornitore 8-PDIP |
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