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DS25LV02R+T&R

DS25LV02R+T&R

Solo per riferimento

Numero parte DS25LV02R+T&R
PNEDA Part # DS25LV02R-T-R
Descrizione IC EPROM 1K 1WIRE TSOT23-5
Produttore Maxim Integrated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.930
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DS25LV02R+T&R Risorse

Brand Maxim Integrated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDS25LV02R+T&R
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
DS25LV02R+T&R, DS25LV02R+T&R Datasheet (Totale pagine: 17, Dimensioni: 218,4 KB)
PDFDS25LV02R+T&R Datasheet Copertura
DS25LV02R+T&R Datasheet Pagina 2 DS25LV02R+T&R Datasheet Pagina 3 DS25LV02R+T&R Datasheet Pagina 4 DS25LV02R+T&R Datasheet Pagina 5 DS25LV02R+T&R Datasheet Pagina 6 DS25LV02R+T&R Datasheet Pagina 7 DS25LV02R+T&R Datasheet Pagina 8 DS25LV02R+T&R Datasheet Pagina 9 DS25LV02R+T&R Datasheet Pagina 10 DS25LV02R+T&R Datasheet Pagina 11

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DS25LV02R+T&R Specifiche

ProduttoreMaxim Integrated
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaEPROM
TecnologiaEPROM - OTP
Dimensione della memoria1Kb (1K x 1)
Interfaccia di memoria1-Wire®
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso15µs
Tensione - Alimentazione2.2V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio-30°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Pacchetto dispositivo fornitoreTSOT-23-5

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Produttore

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Tipo di memoria

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Formato memoria

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Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

2Mb (256K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

20µs

Tempo di accesso

55ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

32-LCC (J-Lead)

Pacchetto dispositivo fornitore

32-PLCC (11.43x13.97)

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Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

48Gb (768M x 64)

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

1600MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.1V

Temperatura di esercizio

-30°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

MT29F512G08CUAAAC5:A

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

512Gb (64G x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

52-VLGA

Pacchetto dispositivo fornitore

52-VLGA (18x14)

25LC080CT-I/MNY

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

8Kb (1K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

10MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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7015L25G

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Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

72Kb (8K x 9)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

25ns

Tempo di accesso

25ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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