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DS1249AB-100

DS1249AB-100

Solo per riferimento

Numero parte DS1249AB-100
PNEDA Part # DS1249AB-100
Descrizione IC NVSRAM 2M PARALLEL 32EDIP
Produttore Maxim Integrated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.434
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 30 - mag 5 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DS1249AB-100 Risorse

Brand Maxim Integrated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDS1249AB-100
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
DS1249AB-100, DS1249AB-100 Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 208,44 KB)
PDFDS1249Y-85# Datasheet Copertura
DS1249Y-85# Datasheet Pagina 2 DS1249Y-85# Datasheet Pagina 3 DS1249Y-85# Datasheet Pagina 4 DS1249Y-85# Datasheet Pagina 5 DS1249Y-85# Datasheet Pagina 6 DS1249Y-85# Datasheet Pagina 7 DS1249Y-85# Datasheet Pagina 8 DS1249Y-85# Datasheet Pagina 9

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DS1249AB-100 Specifiche

ProduttoreMaxim Integrated
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaNVSRAM
TecnologiaNVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Dimensione della memoria2Mb (256K x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina100ns
Tempo di accesso100ns
Tensione - Alimentazione4.75V ~ 5.25V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / Custodia32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Pacchetto dispositivo fornitore32-EDIP

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Produttore

Micron Technology Inc.

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Tipo di memoria

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Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

16Gb (1G x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

63-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

63-VFBGA (9x11)

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Adesto Technologies

Produttore

Adesto Technologies

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

1Mb (128K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

104MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

8µs, 3.5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.65V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-UFDFN Exposed Pad

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Produttore

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

8Mb (1M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI - Dual I/O

Frequenza di clock

50MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

60µs, 6ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.65V ~ 2V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-XFDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-USON (2x3)

DS1270W-150#

Maxim Integrated

Produttore

Maxim Integrated

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

NVSRAM

Tecnologia

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Dimensione della memoria

16Mb (2M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

150ns

Tempo di accesso

150ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

36-DIP Module (0.600", 15.24mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

36-EDIP

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Tipo di memoria

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Dimensione della memoria

64Kb (8K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

200µs

Tempo di accesso

200ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TC)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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