Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

DS1230W-100IND+

DS1230W-100IND+

Solo per riferimento

Numero parte DS1230W-100IND+
PNEDA Part # DS1230W-100IND
Descrizione IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP
Produttore Maxim Integrated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.744
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mar 30 - apr 4 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DS1230W-100IND+ Risorse

Brand Maxim Integrated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDS1230W-100IND+
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
DS1230W-100IND+, DS1230W-100IND+ Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 196,76 KB)
PDFDS1230W-100IND Datasheet Copertura
DS1230W-100IND Datasheet Pagina 2 DS1230W-100IND Datasheet Pagina 3 DS1230W-100IND Datasheet Pagina 4 DS1230W-100IND Datasheet Pagina 5 DS1230W-100IND Datasheet Pagina 6 DS1230W-100IND Datasheet Pagina 7 DS1230W-100IND Datasheet Pagina 8 DS1230W-100IND Datasheet Pagina 9 DS1230W-100IND Datasheet Pagina 10

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • DS1230W-100IND+ Datasheet
  • where to find DS1230W-100IND+
  • Maxim Integrated

  • Maxim Integrated DS1230W-100IND+
  • DS1230W-100IND+ PDF Datasheet
  • DS1230W-100IND+ Stock

  • DS1230W-100IND+ Pinout
  • Datasheet DS1230W-100IND+
  • DS1230W-100IND+ Supplier

  • Maxim Integrated Distributor
  • DS1230W-100IND+ Price
  • DS1230W-100IND+ Distributor

DS1230W-100IND+ Specifiche

ProduttoreMaxim Integrated
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaNVSRAM
TecnologiaNVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Dimensione della memoria256Kb (32K x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina100ns
Tempo di accesso100ns
Tensione - Alimentazione3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / Custodia28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Pacchetto dispositivo fornitore28-EDIP

I prodotti a cui potresti essere interessato

M29F800DT70N1

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

8Mb (1M x 8, 512K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

70ns

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

48-TSOP

S29GL01GT12DHN010

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

GL-T

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

1Gb (128M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

60ns

Tempo di accesso

120ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

64-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

64-FBGA (9x9)

IS45S16160G-6CTLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

256Mb (16M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5.4ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

54-TSOP II

SST39VF020-70-4C-NHE

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

SST39 MPF™

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

2Mb (256K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

20µs

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

32-LCC (J-Lead)

Pacchetto dispositivo fornitore

32-PLCC (11.43x13.97)

MT48H16M32LFCM-75 IT:A TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPSDR

Dimensione della memoria

512Mb (16M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

5.4ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

90-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

90-VFBGA (10x13)

Venduto di recente

ADF4350BCPZ-RL7

ADF4350BCPZ-RL7

Analog Devices

IC SYNTH PLL VCO FN/IN 32LFCSP

ACPL-C78A-000E

ACPL-C78A-000E

Broadcom

IC OPAMP ISOLATION 1 CIRC 8SSO

DS1307ZN+T&R

DS1307ZN+T&R

Maxim Integrated

IC RTC CLK/CALENDAR I2C 8-SOIC

WSL1206R0100FEA

WSL1206R0100FEA

Vishay Dale

RES 0.01 OHM 1% 1/4W 1206

PD55015-E

PD55015-E

STMicroelectronics

FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10

HM0068ANL

HM0068ANL

Pulse Electronics Network

PULSE XFMR 1CT:1CT TX 1CT:1CT RX

NL17SZ14DFT2G

NL17SZ14DFT2G

ON Semiconductor

IC INVERTER SCHMITT 1CH SC88A

ADV7125WBSTZ170

ADV7125WBSTZ170

Analog Devices

IC DAC 8BIT A-OUT 48LQFP

EN5339QI

EN5339QI

Intel

DC DC CONVERTER 0.6-4.6V 14W

MAX1111CPE+

MAX1111CPE+

Maxim Integrated

IC ADC 8BIT SAR 16DIP

KSZ9031RNXIA

KSZ9031RNXIA

Microchip Technology

IC TRANSCEIVER FULL 4/4 48QFN

0251002.NRT1L

0251002.NRT1L

Littelfuse

FUSE BRD MNT 2A 125VAC/VDC AXIAL