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DRA5114T0L

DRA5114T0L

Solo per riferimento

Numero parte DRA5114T0L
PNEDA Part # DRA5114T0L
Descrizione TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3
Produttore Panasonic Electronic Components
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.912
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mar 31 - apr 5 (Scegli Spedizione rapida)
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DRA5114T0L Specifiche

ProduttorePanasonic Electronic Components
Serie-
Tipo di transistorPNP - Pre-Biased
Corrente - Collettore (Ic) (Max)100mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)50V
Resistenza - Base (R1)10 kOhms
Resistenza - Base Emettitore (R2)-
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce160 @ 5mA, 10V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic250mV @ 500µA, 10mA
Corrente - Taglio collettore (Max)500nA
Frequenza - Transizione-
Potenza - Max150mW
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSC-85
Pacchetto dispositivo fornitoreSMini3-F2-B

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Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

NPN - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

10 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

10 kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

1µA

Frequenza - Transizione

-

Potenza - Max

250mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SMT3; MPAK

DRA5115E0L

Panasonic Electronic Components

Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Tipo di transistor

PNP - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

100 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

100 kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 500µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

-

Potenza - Max

150mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-85

Pacchetto dispositivo fornitore

SMini3-F2-B

BCR135E6327HTSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

10 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

47 kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 5mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Frequenza - Transizione

150MHz

Potenza - Max

200mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3

DTC114EEBTL

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

10 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

10 kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

250MHz

Potenza - Max

150mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-89, SOT-490

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

22 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

47 kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 1mA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

-

Potenza - Max

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