DNA30E2200PA
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| Numero parte | DNA30E2200PA |
| PNEDA Part # | DNA30E2200PA |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 2.2KV 30A TO220AC |
| Produttore | IXYS |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.214 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | dic 2 - dic 7 (Scegli Spedizione rapida) |
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DNA30E2200PA Risorse
| Brand | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | DNA30E2200PA |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
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DNA30E2200PA Specifiche
| Produttore | IXYS |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 2200V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 30A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.26V @ 30A |
| Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 40µA @ 2200V |
| Capacità @ Vr, F | 7pF @ 700V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-220-2 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AC |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 800V Corrente - Media Rettificata (Io) 6A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 950mV @ 6A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 2.5µs Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 800V Capacità @ Vr, F 150pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia P600, Axial Pacchetto dispositivo fornitore P600 Temperatura di esercizio - Giunzione -50°C ~ 150°C |
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