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DN2540N3-G

DN2540N3-G

Solo per riferimento

Numero parte DN2540N3-G
PNEDA Part # DN2540N3-G
Descrizione MOSFET N-CH 400V 0.12A TO92-3
Produttore Microchip Technology
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 13.398
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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DN2540N3-G Risorse

Brand Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDN2540N3-G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo

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DN2540N3-G Specifiche

ProduttoreMicrochip Technology
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)400V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C120mA (Tj)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)0V
Rds On (Max) @ Id, Vgs25Ohm @ 120mA, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds300pF @ 25V
Funzione FETDepletion Mode
Dissipazione di potenza (max)1W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-92 (TO-226)
Pacchetto / CustodiaTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

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Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

15A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

160mOhm @ 9A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 5V

Vgs (massimo)

±10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

930pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

88W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

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Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

400V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.3A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.8Ohm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

410pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

50W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

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Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

17A (Ta), 46A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.9mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1187pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Ta), 50W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-251A

Pacchetto / Custodia

TO-251-3 Stub Leads, IPak

NVTFS4C08NWFTWG

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

17A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.9mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18.2nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1113pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.1W (Ta), 31W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

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Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

160mOhm @ 8.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

670pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.7W (Ta), 88W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

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