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DMTH4011SPD-13

DMTH4011SPD-13

Solo per riferimento

Numero parte DMTH4011SPD-13
PNEDA Part # DMTH4011SPD-13
Descrizione MOSFETDUAL N-CHAN 40VPOWERDI5060
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.356
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata gen 7 - gen 12 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DMTH4011SPD-13 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDMTH4011SPD-13
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
DMTH4011SPD-13, DMTH4011SPD-13 Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 398,15 KB)
PDFDMTH4011SPD-13 Datasheet Copertura
DMTH4011SPD-13 Datasheet Pagina 2 DMTH4011SPD-13 Datasheet Pagina 3 DMTH4011SPD-13 Datasheet Pagina 4 DMTH4011SPD-13 Datasheet Pagina 5 DMTH4011SPD-13 Datasheet Pagina 6 DMTH4011SPD-13 Datasheet Pagina 7

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  • DMTH4011SPD-13 Distributor

DMTH4011SPD-13 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
SerieAutomotive, AEC-Q101
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C11.1A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs15mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10.6nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds805pF @ 20V
Potenza - Max2.6W (Ta)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-PowerTDFN
Pacchetto dispositivo fornitorePowerDI5060-8

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APTM50DSK10T3G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

37A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

120mOhm @ 18.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

96nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4367pF @ 25V

Potenza - Max

312W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP3

Pacchetto dispositivo fornitore

SP3

DMC2038LVTQ-7

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo FET

N and P-Channel Complementary

Funzione FET

Logic Level Gate, 1.8V Drive

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.7A (Ta), 2.6A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35mOhm @ 4A, 4.5V, 74mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.7nC @ 4.5V, 10nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

530pF @ 10V, 705pF @ 10V

Potenza - Max

800mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Pacchetto dispositivo fornitore

TSOT-26

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Produttore

IXYS

Serie

HiPerFET™

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

45A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45mOhm @ 22.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

225nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

7500pF @ 25V

Potenza - Max

190W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

TO-240AA

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-240AA

APTM20HM08FG

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo FET

4 N-Channel (H-Bridge)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

208A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10mOhm @ 104A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

280nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

14400pF @ 25V

Potenza - Max

781W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Serie

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Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15mOhm @ 9.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 500µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

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