DMT6017LFV-7
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| Numero parte | DMT6017LFV-7 |
| PNEDA Part # | DMT6017LFV-7 |
| Descrizione | MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI333 |
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.924 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 27 - mag 2 (Scegli Spedizione rapida) |
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DMT6017LFV-7 Risorse
| Brand | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | DMT6017LFV-7 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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DMT6017LFV-7 Specifiche
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 65V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 36A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 6A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15.3nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±16V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 891pF @ 30V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.12W (Ta), 39.06W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PowerDI3333-8 |
| Pacchetto / Custodia | 8-PowerVDFN |
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