DMT3006LFVQ-7
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| Numero parte | DMT3006LFVQ-7 |
| PNEDA Part # | DMT3006LFVQ-7 |
| Descrizione | MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333 |
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.610 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 30 - mag 5 (Scegli Spedizione rapida) |
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DMT3006LFVQ-7 Risorse
| Brand | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | DMT3006LFVQ-7 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
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DMT3006LFVQ-7 Specifiche
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7mOhm @ 9A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16.7nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1155pF @ 15V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1W (Ta) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PowerDI3333-8 (Type UX) |
| Pacchetto / Custodia | 8-PowerVDFN |
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 8.3A (Ta), 57A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 4.5V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1436pF @ 12V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 870mW (Ta), 41.7W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Pacchetto / Custodia 8-PowerTDFN, 5 Leads |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16.5nC @ 10V Vgs (massimo) ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1931pF @ 15V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 2.3W (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore PowerDI3333-8 Pacchetto / Custodia 8-PowerVDFN |
Produttore Diodes Incorporated Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 22A (Ta), 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 49nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3.367nF @ 20V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 2.7W (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore PowerDI5060-8 Pacchetto / Custodia 8-PowerTDFN |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 75A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 37.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 75nC @ 5V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5635pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 125W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AB Pacchetto / Custodia TO-220-3 |
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