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DMPH6050SPDQ-13

DMPH6050SPDQ-13

Solo per riferimento

Numero parte DMPH6050SPDQ-13
PNEDA Part # DMPH6050SPDQ-13
Descrizione MOSFET 2 P-CH 26A POWERDI5060-8
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.096
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 6 - dic 11 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DMPH6050SPDQ-13 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDMPH6050SPDQ-13
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
DMPH6050SPDQ-13, DMPH6050SPDQ-13 Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 526,28 KB)
PDFDMPH6050SPDQ-13 Datasheet Copertura
DMPH6050SPDQ-13 Datasheet Pagina 2 DMPH6050SPDQ-13 Datasheet Pagina 3 DMPH6050SPDQ-13 Datasheet Pagina 4 DMPH6050SPDQ-13 Datasheet Pagina 5 DMPH6050SPDQ-13 Datasheet Pagina 6 DMPH6050SPDQ-13 Datasheet Pagina 7

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DMPH6050SPDQ-13 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
SerieAutomotive, AEC-Q101
Tipo FET2 P-Channel (Dual)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)-
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs48mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14.5nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1525pF @ 30V
Potenza - Max-
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-PowerTDFN
Pacchetto dispositivo fornitorePowerDI5060-8

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Serie

-

Tipo FET

3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

12-SIP

Pacchetto dispositivo fornitore

12-SIP

NTMFD4C85NT1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

15.4A, 29.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

32nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1960pF @ 15V

Potenza - Max

1.13W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

8-DFN (5x6)

SI4936CDY-T1-E3

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Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

325pF @ 15V

Potenza - Max

2.3W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

FDMQ8203

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

GreenBridge™ PowerTrench®

Tipo FET

2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V, 80V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.4A, 2.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

110mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

210pF @ 50V

Potenza - Max

2.5W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

12-WDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

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APTM20DHM20TG

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

89A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24mOhm @ 44.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

112nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

6850pF @ 25V

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357W

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