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DMP6350S-7

DMP6350S-7

Solo per riferimento

Numero parte DMP6350S-7
PNEDA Part # DMP6350S-7
Descrizione MOSFET P-CHA 60V 720MW SOT23
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 228.348
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 4 - mag 9 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DMP6350S-7 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDMP6350S-7
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
DMP6350S-7, DMP6350S-7 Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 476,82 KB)
PDFDMP6350S-13 Datasheet Copertura
DMP6350S-13 Datasheet Pagina 2 DMP6350S-13 Datasheet Pagina 3 DMP6350S-13 Datasheet Pagina 4 DMP6350S-13 Datasheet Pagina 5 DMP6350S-13 Datasheet Pagina 6 DMP6350S-13 Datasheet Pagina 7

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DMP6350S-7 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
SerieAutomotive, AEC-Q101
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C1.5A (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs350mOhm @ 900mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.1nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds206pF @ 30V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)720mW (Ta)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-23
Pacchetto / CustodiaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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Produttore

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

15V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.27A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

2.7V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

180mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.45nC @ 10V

Vgs (massimo)

+2V, -15V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

504mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSSOP

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

SPP100N08S2L-07

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

75V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

100A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.8mOhm @ 68A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

246nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

7130pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

300W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO220-3-1

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

AO6409A

Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.5A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

41mOhm @ 5.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

905pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.1W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

6-TSOP

Pacchetto / Custodia

SC-74, SOT-457

IRL3705ZSTRLPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

55V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

75A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8mOhm @ 52A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

60nC @ 5V

Vgs (massimo)

±16V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2880pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

130W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

Pacchetto / Custodia

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

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Tecnologia

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Tensione Drain to Source (Vdss)

150V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

85A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15mOhm @ 33A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

110nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4460pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

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Pacchetto dispositivo fornitore

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