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DMP2040UFDF-13

DMP2040UFDF-13

Solo per riferimento

Numero parte DMP2040UFDF-13
PNEDA Part # DMP2040UFDF-13
Descrizione MOSFET P-CH 20V 13A UDFN2020-6
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.706
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 27 - dic 2 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DMP2040UFDF-13 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDMP2040UFDF-13
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
DMP2040UFDF-13, DMP2040UFDF-13 Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 416,26 KB)
PDFDMP2040UFDF-13 Datasheet Copertura
DMP2040UFDF-13 Datasheet Pagina 2 DMP2040UFDF-13 Datasheet Pagina 3 DMP2040UFDF-13 Datasheet Pagina 4 DMP2040UFDF-13 Datasheet Pagina 5 DMP2040UFDF-13 Datasheet Pagina 6 DMP2040UFDF-13 Datasheet Pagina 7

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DMP2040UFDF-13 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C13A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs32mOhm @ 8.9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs19nC @ 8V
Vgs (massimo)±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds834pF @ 10V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)1.8W (Ta)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreU-DFN2020-6 (Type F)
Pacchetto / Custodia6-UDFN Exposed Pad

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Produttore

STMicroelectronics

Serie

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Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

55A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V, 5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

18mOhm @ 27.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.7V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

37nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±16V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1700pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

95W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

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STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

SuperMESH™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

950V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

10A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

900mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

113nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3500pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

230W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247-3

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Produttore

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Serie

TrenchMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

55V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

37A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

32mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22.5nC @ 5V

Vgs (massimo)

±13V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1400pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

100W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

320mA (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

75pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

700mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

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Tensione Drain to Source (Vdss)

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

11.5A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

290mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 450µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

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Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

35W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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