DMP2023UFDF-7
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| Numero parte | DMP2023UFDF-7 |
| PNEDA Part # | DMP2023UFDF-7 |
| Descrizione | MOSFET P-CH 20V 7.6A |
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 101.844 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 3 - nov 8 (Scegli Spedizione rapida) |
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DMP2023UFDF-7 Risorse
| Brand | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | DMP2023UFDF-7 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
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DMP2023UFDF-7 Specifiche
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7.6A (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27mOhm @ 7A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 4.5V |
| Vgs (massimo) | ±8V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1837pF @ 15V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 730mW (Ta) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | U-DFN2020-6 (Type F) |
| Pacchetto / Custodia | 6-UDFN Exposed Pad |
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Produttore Infineon Technologies Serie HEXFET®, StrongIRFET™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 195A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.7V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 279nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 10034pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 294W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore D²PAK (TO-263AB) Pacchetto / Custodia TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
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