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DMP1055UFDB-7

DMP1055UFDB-7

Solo per riferimento

Numero parte DMP1055UFDB-7
PNEDA Part # DMP1055UFDB-7
Descrizione MOSFET 2PCH 12V 3.9A UDFN2020
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.200
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 27 - dic 2 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DMP1055UFDB-7 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDMP1055UFDB-7
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
DMP1055UFDB-7, DMP1055UFDB-7 Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 273,34 KB)
PDFDMP1055UFDB-7 Datasheet Copertura
DMP1055UFDB-7 Datasheet Pagina 2 DMP1055UFDB-7 Datasheet Pagina 3 DMP1055UFDB-7 Datasheet Pagina 4 DMP1055UFDB-7 Datasheet Pagina 5 DMP1055UFDB-7 Datasheet Pagina 6

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DMP1055UFDB-7 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
SerieAutomotive, AEC-Q101
Tipo FET2 P-Channel (Dual)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C3.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs59mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20.8nC @ 8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1028pF @ 6V
Potenza - Max1.36W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-UDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitoreU-DFN2020-6 (Type B)

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Produttore

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Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Common Drain

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

23mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

780pF @ 10V

Potenza - Max

800mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-74, SOT-457

Pacchetto dispositivo fornitore

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Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

*

Tipo FET

-

Funzione FET

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

450V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

500mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4Ohm @ 400mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.9nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

256pF @ 25V

Potenza - Max

1.64W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

36mOhm @ 6.1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.8V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17.5nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

660pF @ 10V

Potenza - Max

10.4W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

PowerPAK® ChipFet Dual

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Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

24V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

11A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

28mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

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