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DMNH6042SSD-13

DMNH6042SSD-13

Solo per riferimento

Numero parte DMNH6042SSD-13
PNEDA Part # DMNH6042SSD-13
Descrizione MOSFET 2 N-CH 60V 16.7A 8SO
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.398
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 17 - nov 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DMNH6042SSD-13 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDMNH6042SSD-13
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
DMNH6042SSD-13, DMNH6042SSD-13 Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 405,19 KB)
PDFDMNH6042SSD-13 Datasheet Copertura
DMNH6042SSD-13 Datasheet Pagina 2 DMNH6042SSD-13 Datasheet Pagina 3 DMNH6042SSD-13 Datasheet Pagina 4 DMNH6042SSD-13 Datasheet Pagina 5 DMNH6042SSD-13 Datasheet Pagina 6 DMNH6042SSD-13 Datasheet Pagina 7

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DMNH6042SSD-13 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
SerieAutomotive, AEC-Q101
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C16.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs50mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.2nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds584pF @ 25V
Potenza - Max2.1W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO

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Produttore

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Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Common Drain

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1100pF @ 10V

Potenza - Max

2.5W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SMD, Flat Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

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Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

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Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

31mOhm @ 4.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

830mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSSOP

APTC60HM45SCTG

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

CoolMOS™

Tipo FET

4 N-Channel (H-Bridge)

Funzione FET

Super Junction

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

49A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45mOhm @ 22.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 3mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

150nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

7200pF @ 25V

Potenza - Max

250W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP4

Pacchetto dispositivo fornitore

SP4

NX6020CAKSX

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V, 50V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

170mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.5Ohm @ 100mA, 10V, 7.5Ohm @ 100mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.43nC @ 4.5V, 0.35nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

17pF @ 10V, 36pF @ 25V

Potenza - Max

330mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

6-TSSOP

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Produttore

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Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

50V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

250mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.8Ohm @ 50mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.57nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

6.6pF @ 10V

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