DMNH10H028SK3Q-13
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| Numero parte | DMNH10H028SK3Q-13 |
| PNEDA Part # | DMNH10H028SK3Q-13 |
| Descrizione | MOSFET N-CH 100V 55A TO252 |
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.096 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 20 - nov 25 (Scegli Spedizione rapida) |
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DMNH10H028SK3Q-13 Risorse
| Brand | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | DMNH10H028SK3Q-13 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
DMNH10H028SK3Q-13, DMNH10H028SK3Q-13 Datasheet
(Totale pagine: 7, Dimensioni: 551,76 KB)
  
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DMNH10H028SK3Q-13 Specifiche
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 55A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2245pF @ 50V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2W (Ta) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-252 |
| Pacchetto / Custodia | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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