Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

DMN6068LK3Q-13

DMN6068LK3Q-13

Solo per riferimento

Numero parte DMN6068LK3Q-13
PNEDA Part # DMN6068LK3Q-13
Descrizione MOSFET BVDSS: 41V 60V TO252
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.510
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 21 - dic 26 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DMN6068LK3Q-13 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDMN6068LK3Q-13
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • DMN6068LK3Q-13 Datasheet
  • where to find DMN6068LK3Q-13
  • Diodes Incorporated

  • Diodes Incorporated DMN6068LK3Q-13
  • DMN6068LK3Q-13 PDF Datasheet
  • DMN6068LK3Q-13 Stock

  • DMN6068LK3Q-13 Pinout
  • Datasheet DMN6068LK3Q-13
  • DMN6068LK3Q-13 Supplier

  • Diodes Incorporated Distributor
  • DMN6068LK3Q-13 Price
  • DMN6068LK3Q-13 Distributor

DMN6068LK3Q-13 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie*
Tipo FET-
Tecnologia-
Tensione Drain to Source (Vdss)-
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C-
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (massimo)-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)-
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggio-
Pacchetto dispositivo fornitore-
Pacchetto / Custodia-

I prodotti a cui potresti essere interessato

IPB04N03LAT

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

80A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.9mOhm @ 55A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 60µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

32nC @ 5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3877pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

107W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO263-3-2

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

AUIRFR8403TRL

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

100A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.1mOhm @ 76A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

99nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3171pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

99W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D-Pak

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

NTMFS6H836NT1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

80V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

15A (Ta), 74A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.7mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 95µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1640pF @ 40V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.7W (Ta), 89W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN, 5 Leads

IRFSL4310ZPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

120A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6mOhm @ 75A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 150µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

170nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

6860pF @ 50V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

250W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-262

Pacchetto / Custodia

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

TSM250N02CX RFG

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.8A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

800mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.7nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

535pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.56W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Venduto di recente

PIC18F25K22-I/SO

PIC18F25K22-I/SO

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 32KB FLASH 28SOIC

ADV7341BSTZ

ADV7341BSTZ

Analog Devices

IC ENCODER VIDEO HDTV 64LQFP

LPC2388FBD144,551

LPC2388FBD144,551

NXP

IC MCU 32BIT 512KB FLASH 144LQFP

TA8428K(O,S)

TA8428K(O,S)

Toshiba Semiconductor and Storage

IC MOTOR DRIVER 7V-27V 7HSIP

TLP785(GRH-TP6,F)

TLP785(GRH-TP6,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

OPTOISOLATR 5KV TRANSISTOR 4-SMD

HLMP-P505

HLMP-P505

Broadcom

LED GREEN CLEAR AXIAL T/H AXIAL

ADM3260ARSZ

ADM3260ARSZ

Analog Devices

DGTL ISO 2.5KV 2CH I2C 20SSOP

DS5000FP-16

DS5000FP-16

Maxim Integrated

IC MCU 8BIT EXTRNL NVSRAM 80QFP

ZHCS1000TA

ZHCS1000TA

Diodes Incorporated

DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOT23-3

74VHC14MTC

74VHC14MTC

ON Semiconductor

IC INVERTER SCHMITT 6CH 14TSSOP

IRLML9301TRPBF

IRLML9301TRPBF

Infineon Technologies

MOSFET P-CH 30V 3.6A SOT-23-3

S-1313A33-A4T1U3

S-1313A33-A4T1U3

ABLIC

IC REG LINEAR 3.3V 200MA HSNT4-A