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DMN4031SSDQ-13

DMN4031SSDQ-13

Solo per riferimento

Numero parte DMN4031SSDQ-13
PNEDA Part # DMN4031SSDQ-13
Descrizione MOSFET 2N-CH 40V 5.2A 8SOIC
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.924
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 17 - nov 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DMN4031SSDQ-13 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDMN4031SSDQ-13
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
DMN4031SSDQ-13, DMN4031SSDQ-13 Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 404,7 KB)
PDFDMN4031SSDQ-13 Datasheet Copertura
DMN4031SSDQ-13 Datasheet Pagina 2 DMN4031SSDQ-13 Datasheet Pagina 3 DMN4031SSDQ-13 Datasheet Pagina 4 DMN4031SSDQ-13 Datasheet Pagina 5 DMN4031SSDQ-13 Datasheet Pagina 6

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DMN4031SSDQ-13 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C5.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs31mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18.6nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds945pF @ 20V
Potenza - Max1.42W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO

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Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

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Tipo FET

N and P-Channel Complementary

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.1A (Ta), 3.9A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

34mOhm @ 4.6A, 4.5V, 59mOhm @ 3.6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12.2nC @ 4.5V, 13nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1003pF @ 6V, 1028pF @ 6V

Potenza - Max

1.36W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-UDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

U-DFN2020-6 (Type B)

FDMC89521L

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8.2A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17mOhm @ 8.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1635pF @ 30V

Potenza - Max

1.9W (Ta), 16W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerWDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

8-Power33 (3x3)

FDW2503N

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

21mOhm @ 5.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1082pF @ 10V

Potenza - Max

600mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSSOP

DMG1024UV-7

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.38A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

450mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.74nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

60.67pF @ 16V

Potenza - Max

530mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-563, SOT-666

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-563

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Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

50V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

200mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.5Ohm @ 220mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 10V

Potenza - Max

200mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-363

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