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DMN32D4SDW-7

DMN32D4SDW-7

Solo per riferimento

Numero parte DMN32D4SDW-7
PNEDA Part # DMN32D4SDW-7
Descrizione MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 24.534
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DMN32D4SDW-7 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDMN32D4SDW-7
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
DMN32D4SDW-7, DMN32D4SDW-7 Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 342,69 KB)
PDFDMN32D4SDW-13 Datasheet Copertura
DMN32D4SDW-13 Datasheet Pagina 2 DMN32D4SDW-13 Datasheet Pagina 3 DMN32D4SDW-13 Datasheet Pagina 4 DMN32D4SDW-13 Datasheet Pagina 5 DMN32D4SDW-13 Datasheet Pagina 6

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DMN32D4SDW-7 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C650mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs400mOhm @ 250mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.3nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds50pF @ 15V
Potenza - Max290mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-363

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Common Drain

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

24V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

31.3nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1066.4pF @ 15V

Potenza - Max

980mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-VFDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

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SI5933CDC-T1-E3

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Produttore

Vishay Siliconix

Serie

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Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

144mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.8nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

276pF @ 10V

Potenza - Max

2.8W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SMD, Flat Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

1206-8 ChipFET™

IRF7101PBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 1.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

320pF @ 15V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

550mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

900mOhm @ 430mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

175pF @ 16V

Potenza - Max

500mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-26

AON7932_101

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Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Half Bridge)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6.6A, 8.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 6.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.5nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

460pF @ 15V

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