DMN3110LCP3-7
Solo per riferimento
| Numero parte | DMN3110LCP3-7 |
| PNEDA Part # | DMN3110LCP3-7 |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 3.2A X2DFN1006-3 |
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.400 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 9 - apr 14 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
DMN3110LCP3-7 Risorse
| Brand | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | DMN3110LCP3-7 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- DMN3110LCP3-7 Datasheet
- where to find DMN3110LCP3-7
- Diodes Incorporated
- Diodes Incorporated DMN3110LCP3-7
- DMN3110LCP3-7 PDF Datasheet
- DMN3110LCP3-7 Stock
- DMN3110LCP3-7 Pinout
- Datasheet DMN3110LCP3-7
- DMN3110LCP3-7 Supplier
- Diodes Incorporated Distributor
- DMN3110LCP3-7 Price
- DMN3110LCP3-7 Distributor
DMN3110LCP3-7 Specifiche
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.2A (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 8V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 69mOhm @ 500mA, 8V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.52nC @ 4.5V |
| Vgs (massimo) | 12V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 150pF @ 15V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.38W |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | X2-DFN1006-3 |
| Pacchetto / Custodia | 3-XFDFN |
I prodotti a cui potresti essere interessato
|
Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2Ohm @ 1.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.8V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17.2nC @ 10V Vgs (massimo) ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 582pF @ 50V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 41.6W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore ITO-220 Pacchetto / Custodia TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Produttore Infineon Technologies Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 120A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 7V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.9mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.4V @ 90µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 115nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7360pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 150W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore PG-TDSON-8-33 Pacchetto / Custodia 8-PowerTDFN |
Produttore ON Semiconductor Serie PowerTrench® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 35A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1440pF @ 13V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 50W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore TO-252AA Pacchetto / Custodia TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Produttore IXYS Serie PolarHT™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 300V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 52A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 66mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3490pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 400W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore TO-268 Pacchetto / Custodia TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Produttore Infineon Technologies Serie HEXFET® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 160A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.7mOhm @ 75A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 150nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4340pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 200W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-262 Pacchetto / Custodia TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
