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DMN3061SVT-7

DMN3061SVT-7

Solo per riferimento

Numero parte DMN3061SVT-7
PNEDA Part # DMN3061SVT-7
Descrizione MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.534
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 18 - apr 23 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DMN3061SVT-7 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDMN3061SVT-7
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array

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DMN3061SVT-7 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie*
Tipo FET-
Funzione FET-
Tensione Drain to Source (Vdss)-
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max-
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggio-
Pacchetto / Custodia-
Pacchetto dispositivo fornitore-

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Produttore

Advanced Linear Devices Inc.

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Matched Pair

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

10V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

500Ohm @ 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.01V @ 1µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2.5pF @ 5V

Potenza - Max

600mW

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

VQ1006P

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

4 N-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

90V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

400mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.5Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

60pF @ 25V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

14-DIP

ZXMN6A11DN8TC

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

120mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.7nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

330pF @ 40V

Potenza - Max

1.8W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

DMC3401LDW-13

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

*

Tipo FET

-

Funzione FET

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSVIII-H

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate, 4V Drive

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

103mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.1nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

290pF @ 15V

Potenza - Max

1.8W (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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