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DMN3055LFDB-7

DMN3055LFDB-7

Solo per riferimento

Numero parte DMN3055LFDB-7
PNEDA Part # DMN3055LFDB-7
Descrizione MOSFET 2 N-CH 5A UDFN2020-6
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.640
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 2 - apr 7 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DMN3055LFDB-7 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDMN3055LFDB-7
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
DMN3055LFDB-7, DMN3055LFDB-7 Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 343,81 KB)
PDFDMN3055LFDB-7 Datasheet Copertura
DMN3055LFDB-7 Datasheet Pagina 2 DMN3055LFDB-7 Datasheet Pagina 3 DMN3055LFDB-7 Datasheet Pagina 4 DMN3055LFDB-7 Datasheet Pagina 5 DMN3055LFDB-7 Datasheet Pagina 6 DMN3055LFDB-7 Datasheet Pagina 7

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DMN3055LFDB-7 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)-
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs40mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.3nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds458pF @ 15V
Potenza - Max-
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-UDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitoreU-DFN2020-6 (Type B)

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual), Schottky

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

27A (Ta), 60A (Tc), 52A (Ta), 60A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

49nC @ 10V, 200nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V

Potenza - Max

4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.03A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

750mOhm @ 430mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.62nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

59.76pF @ 16V

Potenza - Max

530mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Produttore

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35mOhm @ 5.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

760pF @ 10V

Potenza - Max

900mW

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17mOhm @ 12A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 600µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

74nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.4W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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