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DMN3012LFG-7

DMN3012LFG-7

Solo per riferimento

Numero parte DMN3012LFG-7
PNEDA Part # DMN3012LFG-7
Descrizione MOSFET 2 N-CH 30V POWERDI3333
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.456
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mar 31 - apr 5 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DMN3012LFG-7 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDMN3012LFG-7
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
DMN3012LFG-7, DMN3012LFG-7 Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 610,48 KB)
PDFDMN3012LFG-7 Datasheet Copertura
DMN3012LFG-7 Datasheet Pagina 2 DMN3012LFG-7 Datasheet Pagina 3 DMN3012LFG-7 Datasheet Pagina 4 DMN3012LFG-7 Datasheet Pagina 5 DMN3012LFG-7 Datasheet Pagina 6 DMN3012LFG-7 Datasheet Pagina 7 DMN3012LFG-7 Datasheet Pagina 8 DMN3012LFG-7 Datasheet Pagina 9 DMN3012LFG-7 Datasheet Pagina 10

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DMN3012LFG-7 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs12mOhm @ 15A, 5V, 6mOhm @ 15A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.1nC @ 4.5V, 12.6nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds850pF @ 15V, 1480pF @ 15V
Potenza - Max2.2W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-PowerLDFN
Pacchetto dispositivo fornitorePowerDI3333-8

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NVMFD5C478NT1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9.8A (Ta), 27A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 20µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.3nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

325pF @ 25V

Potenza - Max

3.1W (Ta), 23W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

EPC2107

EPC

Produttore

EPC

Serie

eGaN®

Tipo FET

3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)

Funzione FET

GaNFET (Gallium Nitride)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.7A, 500mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

16pF @ 50V, 7pF @ 50V

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

9-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

9-BGA (1.35x1.35)

AO8814#A

Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Common Drain

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

16mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15.4nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1390pF @ 10V

Potenza - Max

1.5W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSSOP

EM6M2T2R

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

200mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1Ohm @ 200mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

25pF @ 10V

Potenza - Max

150mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-563, SOT-666

Pacchetto dispositivo fornitore

EMT6

ZXMN2AMCTA

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.7A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

120mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.1nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

299pF @ 15V

Potenza - Max

1.7W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-VDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

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