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DMN3009SFGQ-13

DMN3009SFGQ-13

Solo per riferimento

Numero parte DMN3009SFGQ-13
PNEDA Part # DMN3009SFGQ-13
Descrizione MOSFETN-CH 30VPOWERDI3333-8
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.284
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DMN3009SFGQ-13 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDMN3009SFGQ-13
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
DMN3009SFGQ-13, DMN3009SFGQ-13 Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 547,45 KB)
PDFDMN3009SFGQ-13 Datasheet Copertura
DMN3009SFGQ-13 Datasheet Pagina 2 DMN3009SFGQ-13 Datasheet Pagina 3 DMN3009SFGQ-13 Datasheet Pagina 4 DMN3009SFGQ-13 Datasheet Pagina 5 DMN3009SFGQ-13 Datasheet Pagina 6 DMN3009SFGQ-13 Datasheet Pagina 7

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  • DMN3009SFGQ-13 Distributor

DMN3009SFGQ-13 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
SerieAutomotive, AEC-Q101
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C16A (Ta), 45A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs5.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs42nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2000pF @ 15V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)900mW (Ta)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePowerDI3333-8
Pacchetto / Custodia8-PowerVDFN

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DMNH4011SK3-13

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

50A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25.5nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1405pF @ 20V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.6W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-252

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

RD3P100SNTL1

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

10A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

133mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

700pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

20W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-252

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

CSD17506Q5A

Texas Instruments

Produttore

Serie

NexFET™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

100A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.8V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1650pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.2W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-VSONP (5x6)

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

FQPF19N20T

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

QFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

11.8A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

150mOhm @ 5.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

40nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1600pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

50W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220F

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack

SIR888DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

40A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.25mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

120nC @ 10V

Vgs (massimo)

±16V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5065pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

5W (Ta), 48W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerPAK® SO-8

Pacchetto / Custodia

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