DMN2055U-13
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| Numero parte | DMN2055U-13 |
| PNEDA Part # | DMN2055U-13 |
| Descrizione | MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 1 |
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.532 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 25 - apr 30 (Scegli Spedizione rapida) |
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DMN2055U-13 Risorse
| Brand | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | DMN2055U-13 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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DMN2055U-13 Specifiche
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.8A (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 38mOhm @ 3.6A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.3nC @ 4.5V |
| Vgs (massimo) | ±8V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 400pF @ 10V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 800mW (Ta) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23 |
| Pacchetto / Custodia | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 41mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (massimo) ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 1.1W (Ta), 2.7W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 4-Microfoot Pacchetto / Custodia 4-XFBGA, CSPBGA |
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