DMN2022UFDF-13
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| Numero parte | DMN2022UFDF-13 |
| PNEDA Part # | DMN2022UFDF-13 |
| Descrizione | MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN |
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.544 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 5 - apr 10 (Scegli Spedizione rapida) |
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DMN2022UFDF-13 Risorse
| Brand | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | DMN2022UFDF-13 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
DMN2022UFDF-13, DMN2022UFDF-13 Datasheet
(Totale pagine: 6, Dimensioni: 307,64 KB)
  
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DMN2022UFDF-13 Specifiche
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7.9A (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 4A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 8V |
| Vgs (massimo) | ±8V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 907pF @ 10V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 660mW (Ta) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | U-DFN2020-6 (Type F) |
| Pacchetto / Custodia | 6-UDFN Exposed Pad |
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