DMN2014LHAB-7
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| Numero parte | DMN2014LHAB-7 |
| PNEDA Part # | DMN2014LHAB-7 |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN |
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 28.272 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 19 - apr 24 (Scegli Spedizione rapida) |
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DMN2014LHAB-7 Risorse
| Brand | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | DMN2014LHAB-7 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
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DMN2014LHAB-7 Specifiche
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Logic Level Gate |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 9A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13mOhm @ 4A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1550pF @ 10V |
| Potenza - Max | 800mW |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 6-UFDFN Exposed Pad |
| Pacchetto dispositivo fornitore | U-DFN2030-6 (Type B) |
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Produttore ON Semiconductor Serie * Tipo FET - Funzione FET - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore Rohm Semiconductor Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6A Rds On (Max) @ Id, Vgs 28mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 390pF @ 10V Potenza - Max 550mW Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore TSMT8 |
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Produttore ON Semiconductor Serie PowerTrench® Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 17.5A, 30A Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 17.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1570pF @ 13V Potenza - Max 1W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-PowerTDFN Pacchetto dispositivo fornitore Power56 |
Produttore IXYS Serie TrenchMV™ Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 75V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 120A Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 165nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7700pF @ 25V Potenza - Max 150W Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia ISOPLUSi5-Pak™ Pacchetto dispositivo fornitore ISOPLUSi5-Pak™ |
