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DMN1250UFEL-7

DMN1250UFEL-7

Solo per riferimento

Numero parte DMN1250UFEL-7
PNEDA Part # DMN1250UFEL-7
Descrizione MOSFET BVDSS: 8V 24V U-QFN1515-1
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario
1 ---------- $5,0600
250 ---------- $4,8228
500 ---------- $4,5856
1.000 ---------- $4,3484
2.500 ---------- $4,1508
5.000 ---------- $3,9531
Disponibile 949
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 19 - nov 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DMN1250UFEL-7 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDMN1250UFEL-7
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
DMN1250UFEL-7, DMN1250UFEL-7 Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 330,33 KB)
PDFDMN1250UFEL-7 Datasheet Copertura
DMN1250UFEL-7 Datasheet Pagina 2 DMN1250UFEL-7 Datasheet Pagina 3 DMN1250UFEL-7 Datasheet Pagina 4 DMN1250UFEL-7 Datasheet Pagina 5 DMN1250UFEL-7 Datasheet Pagina 6 DMN1250UFEL-7 Datasheet Pagina 7

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DMN1250UFEL-7 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Tipo FET8 N-Channel, Common Gate, Common Source
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs450mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.9nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds190pF @ 6V
Potenza - Max660mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia12-UFQFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitoreU-QFN1515-12

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Produttore

ON Semiconductor

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Common Drain

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 7.1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17.3nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1000pF @ 10V

Potenza - Max

1.6W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Half Bridge)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.5A, 5.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

23mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.5nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.1W, 1.16W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

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Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

153mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.7V @ 50µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.1nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

110pF @ 30V

Potenza - Max

2W (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerUDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Half Bridge)

Funzione FET

GaNFET (Gallium Nitride)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

70A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

34mOhm @ 30A, 8V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2260pF @ 100V

Potenza - Max

470W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

8V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

180mV @ 1µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2.5pF @ 5V

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