DMN10H170SVTQ-13
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| Numero parte | DMN10H170SVTQ-13 |
| PNEDA Part # | DMN10H170SVTQ-13 |
| Descrizione | MOSFET N-CH 100V TSOT26 |
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.418 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mar 31 - apr 5 (Scegli Spedizione rapida) |
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DMN10H170SVTQ-13 Risorse
| Brand | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | DMN10H170SVTQ-13 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
DMN10H170SVTQ-13, DMN10H170SVTQ-13 Datasheet
(Totale pagine: 8, Dimensioni: 499,06 KB)
  
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DMN10H170SVTQ-13 Specifiche
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.6A (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160mOhm @ 5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.7nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1167pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.2W (Ta) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TSOT-26 |
| Pacchetto / Custodia | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
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